日期:2020/4/2瀏覽:438次
簡(jiǎn)介:
多晶硅 ( 多晶硅,是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過(guò)冷條件下凝固時(shí),硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核,如這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒,則這些晶粒結(jié)合起來(lái),就結(jié)晶成多晶硅。 ) 在太陽(yáng)能利用上,單晶硅和多晶硅也發(fā)揮著巨大的作用。要使 太陽(yáng)能發(fā)電具有較大的市場(chǎng),被廣大的消費(fèi)者接受,就必須提高太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率,降低生產(chǎn)成本。從國(guó)際太陽(yáng)電池的發(fā)展過(guò)程可以看出其發(fā)展趨勢(shì)為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料(包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜)。 不論是 改良西門子法還是硅烷法生產(chǎn)工藝中 都需要過(guò)濾設(shè)備 ,用于 收集 硅粉、氯硅烷循環(huán)洗滌、循環(huán)水再利用等工序。結(jié)合 眾多 項(xiàng)目 生產(chǎn) 經(jīng)驗(yàn), 上海奕卿過(guò)濾科技有限公司 提出了自己的過(guò)濾工藝解決方案。
多晶硅 ( 生產(chǎn)中所遇見(jiàn)的 污染物及雜質(zhì) 顆粒 :
1. 未完全反應(yīng)的硅粉顆粒 ; 2. 循環(huán)液帶入的管道中的雜質(zhì) ; 3. 進(jìn)料帶入的固體粉塵與雜質(zhì) ; 4. 合成反應(yīng)生成的固體雜質(zhì) ;
這些顆粒 雜質(zhì)污染物 是影響生產(chǎn)穩(wěn)定、換熱效率的 主要 原因。 上海奕卿過(guò)濾科技 高效的過(guò)濾與分離 設(shè)備 不僅保護(hù)了生產(chǎn)設(shè)備的工藝安全,同時(shí)也提升了產(chǎn)品 質(zhì)量與 產(chǎn)量。
尾氣過(guò)濾應(yīng)用在多晶硅生產(chǎn)的各個(gè)工藝段 , 對(duì)多晶硅的生產(chǎn)起到重要作用 , 尤其目前行業(yè)低位運(yùn)行期間 , 對(duì)多晶硅產(chǎn)品降低成本至關(guān)重要 :
a. 廢氣廢液工位的煙氣過(guò)濾 ; b. 還原爐尾氣分離 ; c. 氫化爐尾氣分離 ; d. 硅粉過(guò)濾等。
1 、 還原尾氣分離
在 SiCl4 氫化氣和 SiHCl3 還原氣通過(guò)干法分離后, H2 和 HCl 得以回收利用,在 H2 回用前需過(guò)濾氣體中含有的未反應(yīng)硅粉和生成的石墨粉, 來(lái) 保證氫氣純凈,使氫化反應(yīng)和還原反應(yīng)更穩(wěn)定、高效。
問(wèn)題: |
要求: |
解決: |
氫氣為高危氣體 |
過(guò)濾器密封性能良好 |
采用自動(dòng)反吹系統(tǒng),無(wú)須打開濾器,減少內(nèi)件更換頻次,避免泄露可能 |
石墨粉 / 硅粉顆粒粒徑微小,硬度高。 |
過(guò)濾精度要求高,防止內(nèi)件穿透。 |
采用獨(dú)特的燒結(jié)金屬氈內(nèi)件,過(guò)濾孔徑穩(wěn)定,保證過(guò)濾性能 , 過(guò)濾精度可達(dá) 0.1um-0.5um |
尾氣溫度高 |
抗溫要求高。避免降溫處理帶來(lái)的一系列問(wèn)題。 |
奕卿 采用高溫直接處理工藝,避免降溫處理帶來(lái)管道腐蝕,能耗浪費(fèi)嚴(yán)重的問(wèn)題。 |
2 、廢氣、廢液焚燒處理
在多晶硅生產(chǎn)工藝中,廢氣廢液處理一直是困擾企業(yè)的難題之一。傳統(tǒng)的噴淋處理工藝,處理成本高,浪費(fèi)嚴(yán)重,環(huán)保問(wèn)題嚴(yán)峻。
解決方案:
上海奕卿科技 采用干法分離技術(shù),將廢氣廢液在爐內(nèi)燃燒,生成 SiO2 粉末,通過(guò)分離收集 SiO2 粉末產(chǎn)生極大的經(jīng)濟(jì)效益。同時(shí)解決環(huán)保達(dá)標(biāo)排放問(wèn)題 。
工藝優(yōu)勢(shì):
1 、 廢氣廢液集中處理,工藝流程短,操作簡(jiǎn)單 ; 2 、 回收的 SiO2 粉末產(chǎn)生極大的經(jīng)濟(jì)效益 ; 3 、 氣體經(jīng)燃燒后,符合環(huán)保要求,可直接放空處理,經(jīng)濟(jì)環(huán)保。
上一篇: 多晶硅生產(chǎn)工程
下一篇: 電解銅箔概述